Компанию Intel в обозримом будущем ждут большие изменения, о которых она рассказывала ранее. Кроме прочего, это изменения должны привести к тому, что Intel сможет конкурировать с лидерами рынка по современности техпроцесса.
Глава компании Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) в очередном интервью затронул тему закона Мура. Напомним, согласно этому закону, количество транзисторов в интегральных схемах удваивается каждые два года. В какой-то момент времени закон критиковали за то, что он уже не актуален, но в целом рынок ему соответствует.
Закон Мура жив и здоров. Сегодня мы прогнозируем, что в течение следующего десятилетия мы будем придерживаться его или будем даже быстрее. Мы, как проводники закона Мура, будем неустанно стремиться к инновациям
Гелсингер указал на две новые разработки, которые должны помочь Intel догнать или даже обойти TSMC и Samsung. Первая — RibbonFET. Это новая структура транзисторов, известная в том числе как Gate All Around FET (GAAFET). В этой конструкции используются четыре затвора для управления током, протекающим через транзисторы.
Вторая разработка называется PowerVia. Она касается внутренних соединений. Технология позволяет транзисторам потреблять электроэнергию с одной стороны микросхемы, используя другую сторону для подключения к каналам передачи данных. Сегодняшние конструкции микросхем содержат транзисторы, которые пытаются выполнять обе функции с одной и той же стороны, что снижает возможности разработчиков упростить процесс, а также ограничивает миниатюризацию.
С учётом всех наработок, как считает глава Intel, компания сможет догнать TSMC и Samsung уже в 2024 году и обойти их в 2025 году.
